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安捷伦科技推出工业上第一个波形发生器/用于NBTI，高速IV特性的快速测量单元。新模块扩展了安捷伦B1500A用于快速显示NBTI和其它快速测量应用的性能。
安捷伦科技有限公司（NYSE: A）推出一款波形发生器/快速测量单元（WGFMU），用于其B1500A半导体设备分析仪，该分析仪能执行高速测量所需求的性能及快速NBTI和其他应用如：脉冲市制的IV, RTS，新型非挥发性抗干扰的内存像PRAM/ReRAM等。
该设计用于研究员和可靠性研究的工程师，安捷伦B1530A WGFMU是第一个设备齐全的模块，用于提供ALWG与电流或电压同步的快速测量，速度快达5ns（十亿分之一秒），使其能够提供高速IV特性。该性能解决了超高速NBTI的特性和大量摆在工程师和科学家们面前的下一代半导体设备的其它应用问题。
作为半导体器件几何图形，收缩起来的尺寸能低于65nm, 由于是新材料，设备可靠性变得非常重要，新结构和高IC操作温度。在负偏压和高温情况下，NBTI尤其引起重大的阈值电压漂移，使其成为关系高级半导体过程非常重要的可靠性因素之一。许多NBTI研究表明，测量的阈值电压漂移取决于压和时间。因此，工程师们必须尽可能快的估测晶体管的特性。此外，由于压力的类型也会影响阈值电压降级，依次地，设备的实时估计，测量都不仅需要在DC压力之后，还要求在各种AC压力后进行。
在推出安捷伦B1530A之前，没有可行性解决方案可以足够快地捕捉到短暂的特性（少于100微秒），在压力移除之后，并拥有用于超高速NBTI测试的充足的测量解决方案。
安捷伦Hachioji半导体测试部门的副总裁兼总经理Minoru Ebihara说：“安捷伦的测试和解决方案允许用户可以解决复杂的技术挑战，如超高速NBTI测试。对于实现精确的预测设备可靠性和使用寿命，捕捉NBTI数据很重要。新WGFMU将带给我们的半导体设备分析仪用户提供此类性能，并给他们提供更大的灵活性并回报于他们的投资。”WWW_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
original text
Agilent Technologies Introduces Industry-First Waveform Generator
New Module Expands Agilent B1500A Capability for Emerging Ultrafast NBTI and Other Applications Requiring Fast Measurement
Agilent Technologies Inc. （NYSE: A） today introduced a waveform generator / fast measurement unit （WGFMU） for its B1500A semiconductor device analyzer that performs the high-speed measurements required to characterize ultrafast Negative Bias Temperature Instability （NBTI） and other applications such as pulsed IV, Random Telegraph Signal （RTS）, new types of non-volatile resistive memory like PRAM/ReRAM, etc.
Designed for researchers and reliability engineers, the Agilent B1530A WGFMU is the first self-contained module to offer the combination of arbitrary linear waveform generation （ALWG） with synchronized fast current or voltage （IV） measurement as fast as 5 ns （nanoseconds）, enabling accurate high-speed IV characterization. Its capabilities resolve the problem of ultrahigh-speed NBTI characterization and various other applications faced by engineers and scientists working on next-generation semiconductor devices.
As semiconductor device geometries shrink below 65 nm （nanometers）, device reliability becomes more important because of new materials, new structures and higher IC operating temperatures. NBTI in particular causes significant threshold-voltage shift under negative bias and high-temperature conditions, making it one of the most critical reliability concerns for advanced semiconductor processes. Many NBTI studies show that the measured threshold-voltage shift depends strongly on both the type of applied stress and the time after stress. Therefore, engineers must evaluate transistor characteristics as quickly as possible after the stress is removed. In addition, because the type of stress also influences the magnitude of the threshold-voltage degradation and, in turn, the device life-time estimates, measurements are required not only after DC stress, but also after various types of AC stress.WWW_PLC※JS_COM－PLC－技.术_网(可编程控※制器技术门户)
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