WWW_PLC※JS_COM－PmLC－技.术_网
随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。 WW.W_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
P_L_C_技_术_网——可——编——程——控－制－器－技——术——门——户
东芝将在2013年推出3DNANDFlash。此新技术将纪录单元发展从平面改为3D垂直堆积，透过叠合多层纪录单元的方式，在运用目前纳米技术的情况下做出大容量存储器，且因可利用现有半导体制造设备，而节省不少成本。在众多3D存储器技术中，东芝表明将利用可形成多层纪录单元的BiCS(BitCostScalable)。WWcW_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
WW.W_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
在NANDFlash市场中，三星市占率一直处于领先地位，东芝则依靠其微缩技术紧追在后。但是过于微缩带来的后果将是电流容易外漏，使得业界一般认为，2015年微缩技术的发展将达到极限。plcjs.技.术_网
WWW_PLC※JS_COM－PmLC－技.术_网
目前东芝正同时进行微缩技术及3DNANDFlash开发，并对微缩技术仍进行大规模投资。对此东芝表示，由目前的19纳米到15纳米间的制程微缩技术仍然可行，但10纳米上下的制程将成为难关。纳米制程将来的不确定性，将可能使东芝提早转向3DNANDFlash。WWW_PLCJS@_COM%－PLC－技.术_网
WWW.PLCJS.COM——可编程控制器技术门户
另一方面，由尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)共同研发的次世代存储器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)也即将上市。ReRAM拥有纪录单元构造简单，耗电量低的特性，理论上资料写入速度可较NANDFlash快上数千倍，未来可能于2013年推出，并成为NANDFlash的后继者。此外，美国美光科技(Micron)也已着手开发ReRAM，最快将在2013~2014年间开始量产。WWW.PLCJS.COM——可编程控制器技术门户
WWW_PLCJS※COM－PLC－技×术_网(可编程控※制器技术门户)
韩国半导体大厂海力士(Hynix)在东芝的协助下，加紧开发写入速度快速且耗电量低的磁阻式随机存取存储器(MagneticRAM；MRAM)，计划赶在2014年达到量产目标。WWW_PLCJ－S_COM－PLC－技.术_网(可－编程控－制器技术－门户)
WW.W_PLCJS_COM－PLC－技.术_网
而实力雄厚的三星则利用其丰富的资源，同时开发3DNANDFlash、MRAM、ReRAM等多种技术，并将于2013年推出第1阶段以东芝BiCS技术为基础的3DNANDFlash产品。为巩固全球市占率龙头宝座，三星在研发上可说是下足功夫，以多方面同时推进的战术兼顾各种技术。WWW_PLC※JS_COM－PLC－技.术_网(可编程控※制器技术门户)
WWW_PLCJS※COM－PLC－技.术_网(可※编程控※制器技术门户)
对于存储器产业的未来，东芝高层认为，群雄割据的时代将再度来临。尽管目前仍无法确定制程微缩的极限，也无法得知究竟何种存储器技术将胜出，但各家厂商目前所下的决策将确实影响10年后的存储器产业。——可——编——程——控－制－器－技——术——门——户