据BrunoLaFontaine博士表示，AMD的超紫外线微影技术在未来数年，在半导体制程上的应用具十足的潜力，业界厂商因芯片体积缩小而受惠。虽然在业界可运用超紫外线微影技术量产之前，仍有许多挑战需要克服，但是AMD已经证明该技术可以成功地与半导体晶圆制程结合，完整产出芯片上的第一层金属互连层。 

    IBM结构研究经理DavidMedeiros表示，微影技术如同微处理器一样重，如何将含有数百万个电晶体集成芯片的高度复杂设计，移转到晶圆片上的技术，将是未来的重大挑战，而晶圆片上的多重层级，是建立一个芯片的必要条件。 

    DavidMederios进一步指出，随着芯片工程师持续在芯片上加入崭新功能，同时增强芯片的效能表现，让体积愈来愈小的电晶体可在特定的区域中放置更多的电晶体，要如何制造小型电晶体与连接电晶体的金属线，与用来投射芯片设计在晶圆片上的光波长度有直接关系，超紫外线光刻显影技术采用13.5奈米的波长，大幅缩短现今的193纳米微影技术，持续推动传统芯片功能与体积间的可调整性。 

    现时，位于德国德勒斯登的AMD36号厂，首先采用193nm浸润式微影量产技术，进行芯片测试，再将测试芯片运送至位于纽约州阿尔巴尼的IBM奈米科学与工程学院之研发中心，AMD、IBM与其他合作伙伴运用由ASML、IBM、与CNSE合作建置的ASML超紫外线微影扫描器，于德国制造的电晶体间进行第一层金属相连物的图样模型。 

    在完成图样成型、蚀刻与金属物沉淀等制程后，AMD对超紫外线微影设备架构进行电子测试，发现电晶体的特征与仅使用193nm浸润式微影量产技术进行的芯片测试结果相符。这些晶圆片将再透过标准的晶圆制程，增加额外的金属互连层，进而使大型的记忆数组亦可进行测试排程。 

    验证超紫外线显影技术量产可行性的下一步骤，是将此技术从金属互联物层的应用，扩展到所有层级，以证明超紫外线微影技术可制造一个完整的作业微处理器，预期国际半导体技术路线图将可望于2016年达到22nm半间距节点的标准，因此超紫外线微影技术必须在2016年前达到可量产的标准。