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电力电子器件的发展经历了晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）、大功率晶体管（GTR）、绝缘栅晶体管（IGBT）等阶段，目前，常压变频器基本上采用IGBT组成逆变电路，中压变频器中由于电路结构的不同，交—直—交变频器中逆变电路基本上由高压IGBT、GTO、IGCT等组成，单元串联多电平变频器和中—低—中变频器型多采用低压IGBT构成。 P.L.C.技.术.网——可编程控制器技术门户
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20世纪80年代可关断晶闸管GTO的商品化促进了交流调速技术的发展，与SCR相比其属于自关断器件，由于取消了强迫换流电路，简化了在交流电力机车中大量采用的逆变器电路，目前GTO的容量为6000A/6000V，在电力机车调速中大多采用（3000～4000）A/4500V，中压变频器功率范围多在（300～3500）kW以内，属于较小的功率范围。GTO开关频率较低，需要结构复杂的缓冲电路和门极触发电路，用门极负电流脉冲关断GTO，其值接近其阳极电流的1/3，如关断3000A/4000V的GTO，需750A的门极负脉冲电流，其门极触发电路需要多个MOSFET并联的低电感电路，而同样的高压IGBT仅需5A的导通和关断电流。GTO的工作频率低于500Hz，以1500A/4500V的GTO为例，其开通时间为10μs，关断时间约需20μs。 WWW.PLCJS.COM——可编程控制器技术门户
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硬驱动GTO（IGCT）是关断增益为1的GTO，GTO制造工艺上是由多个小的GTO单元并联而成的，为解决关断GTO时非均匀关断和阴极电流收缩效应，缩短关断时间，利用增加负门极电流上升率，在1μs内使负门极电流上升到阳极电流的幅值而使GTO的门极－阴极迅速恢复阻断。将GTO外配MOSFET组成的门极驱动器组合成IGCT，实现了场控晶管的功能，IGCT使用过程中要求开通和关断过程尽可能短，目前IGCT的最高水平为4000A/6000V，IGCT关断过程中仍需要di/dt缓冲器以防过电压，IGCT以GTO为基础，其工作频率应在1kHz以下。 WWW※PLCJS_COM－PL＃C－技.术_网(可编※程控※制器技术门户)
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随着关断能力和载流能力的提高，高压IGBT以其自保护功能强，无需吸收电路而具有广阔的应用前景。西门子公司从1988年开始研制和应用低压IGBT，在高压IGBT的开发上也处于领先地位，以目前用于MV系列的1200A/3300VIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低，关断损耗小，di/dt、dv/dt都得到了有效控制，目前高压IGBT的研制水平为（600～1200）A/6500V，其工作频率为（18～20）kHz。WW.W_PLC※JS_C,OM－PL,C－技.术_网
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